亚历克斯·利多、约翰·斯其顿、迈克尔·德·罗伊、戴维·罗伊施著的《氮化镓功率晶体管--器件电路与应用(原书第2版电子科学与工程系列图书)》共包括11章：第1章概述了氮化镓(GaN)技术；第2章介绍了GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管的驱动；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量；第6章详细介绍了硬开关技术；第7章详细介绍了软开关技术和变换器；第8章介绍了GaN晶体管射频特性；第9章讨论了GaN晶体管的空间应用；第10章列举了GaN晶体管的应用实例；第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。
本书适合作为从事GaN功率半导体技术研究的科研工作者、工程师、高年级本科生和研究生的参考书，也可以作为高等院校微电子科学与工程专业和电力电子技术专业的教材。

译者序
前言
致谢
作者简介
译者简介
第1章 GaN技术概述
1.1 硅功率MOSFET （1976～2010）
1.2 GaN基功率器件
1.3 GaN材料特性
1.3.1 禁带宽度（Eg）
1.3.2 临界击穿电场（Ecrit）
1.3.3 导通电阻（RDS(on)）
1.3.4 二维电子气（2DEG）
1.4 GaN晶体管的基本结构
1.4.1 凹槽栅增强型结构
1.4.2 注入栅增强型结构
1.4.3 p型GaN栅增强型结构
1.4.4 共源共栅混合增强型结构
1.4.5 GaN HEMT晶体管反向导通
1.5 GaN晶体管的制备
1.5.1 衬底材料的选择
1.5.2 异质外延技术
1.5.3 晶圆处理
1.5.4 器件与外部的电气连接
1.6 本章小结
参考文献
第2章 GaN晶体管电气特性
2.1 引言
2.2 关键器件参数
2.2.1 击穿电压（BVDSS）和泄漏电流（IDSS）
2.2.2 导通电阻（RDS(on)）
2.2.3 阈值电压(VGS(th)或Vth)
2.3 电容和电荷
2.4 反向传导
2.5 热阻
2.6 瞬态热阻
2.7 本章小结
参考文献
第3章 驱动GaN晶体管
3.1 引言
3.2 栅极驱动电压
3.3 自举和浮动电源
3.4 dv/dt抗性
3.5 di/dt抗扰性
3.6 接地反弹
3.7 共模电流
3.8 栅极驱动器边沿速率
3.9 驱动共源共栅GaN器件
3.10 本章小结
参考文献
第4章 GaN晶体管电路布局
第5章 GaN晶体管的建模和测量
第6章 硬开关拓扑
第7章 谐振和软开关变换器
第8章 射频性能
第9章 GaN晶体管的空间应用
第10章 应用实例
第11章 硅功率MOSFET替代器件
附录 专业术语