本书系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括7章：靠前章为本书概述；第2章详细地介绍了靠前性原理方法；第3至第7章采用基于密度泛函框架下的第性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理。

陈国祥，男，1979年3月出生，博士，副教授（校聘教授岗位），硕士研究生导师，“新型半导体光电子材料及器件”青年科研创新团队带头人。西安石油大学“青年拔尖人才”，陕西省“青年科技新星”，国家自然科学基金项目同行评议专家，陕西省物理学会会员。2015年起享受陕西省“三秦人才”政府津贴。2015年1月至2016年1月在美国佛罗里达大学物理系进行合作科学研究（访问学者）。
王豆豆， 2012年毕业于中国科学院西安光学精密机械研究所，获理学博士学位，现为西安科技大学理学院教师。主要从事纳米聚合物材料结构和物性的理论研究。曾作为主要参与者承担了国家自然科学基金项目“光学聚合物/二氧化钛有序结构化新材料的设计、制备及应用基础研究”的大部分研究工作。曾获陕西省高等学校科学技术一等奖。合作出版教材4部，先后发表学术论文10篇，其中SCI收录8篇，EI收录2篇。

章概述
1.1纳米材料的分类及基本效应
1.2纳米材料的制备方法
1.3纳米材料的应用
1.4纳米材料的发展趋势
1.5碳纳米管
1.6石墨烯及其纳米带
1.7GaN纳米材料
参考文献
第2章理论计算基础
2.1性原理理论基础
2.2密度泛函理论
2.3交换关联泛函的简化
2.4密度泛函理论的数值计算方法
2.5性原理计算的软件实现
参考文献
第3章过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构、电子特性和磁性
3.1引言
3.2计算方法和模型
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