前言
章绪论
1.1实验目的
1.2实验要求
1.3洁净室简介
1.4实验室安全与注意事项
第2章半导体工艺实验
2.1光掩模版介绍
2.2工艺流程介绍
2.3硅片清洗实验
2.4热氧化工艺实验
2.5光刻工艺实验
2.6湿法刻蚀工艺实验
2.7磷扩散工艺实验
2.8金属蒸镀工艺实验
第3章半导体材料与器件特性表征实验
3.1高频光电导衰减法测量硅单晶非平衡少数载流子寿命实验
3.2四探针法测量硅片电阻率与杂质浓度实验
3.3半导体材料的霍尔效应测量实验
3.4pn结的电容-电压(C-V)特性测试实验
3.5双极型晶体管的直流参数测试实验
3.6薄膜晶体管器件电学特性测试实验
3.7MOS结构的Si-SiO2界面态密度分布测量实验
第4章综合实验
4.1半导体仿真工具SILVACOTCAD介绍
4.2工艺仿真的基本操作
4.3PMOS器件工艺仿真实验
4.4半导体器件物理特性仿真实验
4.5半导体器件设计实验
4.6半导体器件制备和特性测试实验
参考文献

本书内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验，并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能，着重培养学生的半导体器件的综合设计能力。