本教材为“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材，教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会推荐教材。
主要内容包括半导体器件基础、放大电路基础和集成电路基础三篇，半导体器件基础介绍二极管、双极型晶体管和场效应管的基本原理，强调外部特征和应用；放大电路基础阐述基本放大电路的构成、特点和应用，强调工程近似概念；集成电路基础包含集成运算放大器的构成、反馈、信号处理与产生、直流电源等内容，强调运算放大器的工程应用。
本教材可以作为高等院校电气类、自动化类、电子信息类各专业模拟电子技术基础课程的教材，也可作为工程技术人员的参考书。

第一篇 半导体器件基础
l 半导体二极管
1.1 半导体的基本知识
1.1.1 半导体的共价键结构
1.1.2 本征半导体及其本征激发
1.1.3 杂质半导体
1.2 PN结的形成及特性
1.2.1 载流子的扩散及漂移
1.2.2 PN结的单向导电性
1.2 3 PN结的伏安特性
1.2.4 PN结的反向击穿
1.2.5 PN结的电容效应
1.3 二极管
1.3.1 二极管的结构
1.3.2 二极管的伏安特性
1.3.3 二极管的主要参数
1.4 二极管电路例题
1.5 特殊二极管
1.5.1 稳压管
1.5.2 发光二极管
1 5.3 光电二极管
1.5.4 光电耦合器件
1.5.5 肖特基二极管
1.5.6 变容二极管
本章小结
自我检测题
习题
2 晶体管
2.1 BJT
2.1.1 BJT结构简介
2.1.2 放大状态下载流子的传输过程及电流分配关系
2.1.3 BJT共射接法时的伏安特性
2.1.4 BJT的主要参数
2.2 结型场效应管
2.2.1 结型场效应管的结构
2.2.2 结型场效应管的工作原理
2.2.3 结型场效应管的特性曲线
2.3 金属-氧化物-半导体场效应管
2.3.1 N沟道增强型MOSFET的结构
2.3.2 N沟道增强型MOSFET的工作原理
2.3.3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线
2.3.4 N沟道耗尽型MOSFET
2.3.5 P沟道MOSFET
2.4 场效应管的主要参数
2.4.1 直流参数
2.4.2 交流参数
2.4.3 极限参数
本章小结
自我检测题
习题
第二篇 放人电路荩础
3 模拟电子系统的基本问题
3.1 电信号
3.1.1 电信号的戴维南等效和诺顿等效
3.1.2 模拟信号和数字信号
3.2 模拟电子系统的基本分析方法
3.2.1 模拟电子系统的基本构成
3.2.2 模拟电子系统的图解分析法
……
第三篇 集成电路基础
参考文献