本书系统介绍了核电磁脉冲的产生机理、危害方式以及防护技术。本教材具有一定的理论深度，较宽的专业覆盖面，注重应用性，以提高学生对核电磁脉冲的深入认知和更全面地掌握核电磁脉冲的防护方法。
全书共分为三部分内容，第一部分（第1章、第2章）介绍了核电磁脉冲的基本环境和产生机理，讲述了核电磁脉冲产生环境的一些基本知识和基本问题；核爆炸产生的核电磁脉冲的基本特点；第二部分（第3～6章）介绍了核电磁脉冲对系统设备的耦合方式和危害，核电磁脉冲的干扰方式；核电磁脉冲对通信系统的危害；半导体器件的辐射效应；集成电路的辐射效应。第三部分（第7～9章）介绍了核电磁脉冲的防护设计和防护标准，核电磁脉冲防护技术；通信和指挥自动化设施对核电磁脉冲的防护要求；电气入口端电磁脉冲防护装置技术要求与测试方法。
本书可以作为安全科学与工程类专业的教材，也可作为相关专业教学及培训等参考用书。

前言
第1章 核电磁脉冲环境
1.1 核电磁脉冲效应
1.2 基本的核电磁脉冲环境
参考文献
第2章 核爆炸产生的电磁脉冲
2.1 核电磁脉冲产生机理
2.2 系统产生的电磁脉冲
2.3 核电磁脉冲的特点
第3章 核电磁脉冲干扰
3.1 引言
3.2 准静态干扰
3.3 功率流与孔径的关系
3.4 几种严密方法
3.5 核电磁脉冲干扰计算
3.6 输电线和其他非谐振型汇能器的干扰
参考文献
第4章 核电磁脉耦合
4.1 引言
4.2 电磁脉冲对电小尺寸柱状导体与环状导体的耦合
4.3 电磁脉冲对电缆等长导体的耦合
4.4 HEMP作用下近地有限长电缆外导体感应电流计算
4.5 电力线HEMP感应过电压及其在供电系统中的传输
4.6 电磁脉冲对孔缝的耦合
参考文献
第5章 半导体器件的辐射效应
5.1 基本半导体效应
5.2 中子环境下晶体管特性的叙述
5.3 表面复合速度
5.4 基极—发射极场区的复合
5.5 发射极效率
5.6 高注入水平
5.7 电流增益截止频率
5.8 位移损伤过程
5.9 对入射能量的依赖关系
5.10 损伤常数对电阻率和注入水平的依赖关系
5.11 双极晶体管的中子损伤常数
5.12 硅材料的损伤常数
5.13 锗分析
5.14 离子注入
5.15 半导体器件的结论
参考文献
第6章 集成电路的辐射效应
6.1 集成电路与分立元件电路辐射效应的比较
6.2 中子效应
6.3 y剂量率的影响
6.4 对扩散电阻的影响
6.5 包含光子、质子和电子效应的典型电路分析
6.6 闭锁机理
6.7 四层开关作用
6.8 二次击穿
6.9 持位电压击穿
6.10 氧化物电荷堆积
6.11 集成电路中的互补金属——氧化物半导体晶体管（CMOS）
6.12 调节器和触发器
6.13 方向和展望
参考文献
第7章 核电磁脉冲防护技术
7.1 防护技术
7.2 电缆与电缆屏蔽
7.3 滤波器、变量器与扼流圈
7.4 电涌放电器
7.5 电涌放电器和滤波器混合装置
7.6 非硬导线限幅器
7.7 断路
参考文献
第8章 通信和指挥自动化设施对核电磁脉冲的防护要求
8.1 适用范围与相关标准
8.2 核电磁脉冲防护的一般要求
8.3 核电磁脉冲防护详细要求
第9章 电气入口端电磁脉冲防护装置技术要求与测试方法
9.1 应用范围与标准
9.2 技术要求
9.3 电磁脉冲防护装置测试方法