本书以硅基集成电路制造工艺流程为主线，介绍了从晶圆制备到封装完成全过程的典型集成电路制造工艺技术。全书内容主要分为准备晶圆、芯片制造、封装测试、良品率控制等4个部分，按照实用为主、够用为度的思路，避开了复杂的理论推导，注重实用性和适用性，重点突出工艺技术内容，使读者可以在较短时间内熟悉集成电路产业术语，对集成电路制造工艺形成较为清晰完整的概念，提高基础应用能力。书末附录B给出了芯片制造常用专业词汇表，且每章后附有复习思考题，便于读者自测自查之用。
本书内容深入浅出、结构清晰，语言通俗易懂、可读性强，非常适合作为应用型本科、高职院校集成电路相关专业的教学和培训教材，也可作为成人教育、开放大学、自学考试的教材，以及集成电．路、微电子行业工程技术人员的参考书。

第1章 半导体产业概述
1.1 引言
1.1.1 半导体技术的发展
1.1.2 集成电路产品发展趋势
1.2 芯片与集成电路
1.3 半导体工业的构成
1.4 芯片制造的生产阶段
1.5 纳米工艺与技术
复习思考题
第2章 芯片制造基本工艺流程
2.1 半导体材料的特性
2.1.1 原子键合和晶体结构特点
2.1.2 单晶体的空间点阵结构
2.1.3 晶向和晶面的表示方法
2.1.4 常用的半导体材料
2.2 芯片概述
2.2.1 半导体器件
2.2.2 集成电路
2.3 集成电路芯片制造工艺流程
2.3.1 双极性集成电路制造工艺流程
2.3.2 MOS集成电路制造工艺流程
2.3.3 Bi-CMOS制造工艺流程
复习思考题
第3章 准备晶圆
3.1 多晶纯化
3.1.1 晶圆制备工艺流程
3.1.2 对衬底材料的要求
3.1.3 多晶制备与纯化
3.2 衬底制备
3.2.1 拉单晶
3.2.2 切片、磨片与抛光
3.2.3 其他处理
3.2.4 晶体的缺陷
复习思考题
第4章 集成电路芯片制造工艺概述
4.1 集成电路芯片设计简介
4.2 集成电路芯片制造4项基础工艺
4.2.1 薄膜制备
4.2.2 光刻与刻蚀
4.2.3 掺杂
4.2.4 热处理
复习思考题
第5章 薄膜制备
5.1 CVD和PVD
5.1.1 CVD
5.1.2 PVD
5.2 氧化工艺
5.2.1 氧化层的用途
5.2.2 氧化的机理和特点
5.2.3 氧化工艺
5.2.4 鸟嘴效应
5.2.5 影响氧化率的因素
5.3 外延工艺
5.3.1 外延的机理和作用
5.3.2 外延方法
5.4 金属化工艺
5.4.1 金属膜的用途
5.4.2 金属CVD
5.4.3 金属化和平坦化
复习思考题
第6章 光刻与刻蚀
6.1 图形加工技术简介
6.1.1 在晶圆表面建立图形
6.1.2 在晶圆表面正确定位图形
6.2 光刻与刻蚀工艺
6.2.1 两次图形转移
6.2.2 光刻与刻蚀工艺
6.3 光刻三要素
6.3.1 光刻机
6.3.2 光刻胶
6.3.3 掩膜版
6.4 曝光系统的影响因素
复习思考题
第7章 掺杂
7.1 概述
7.2 合金法
7.3 热扩散
7.3.1 扩散的条件
7.3.2 典型的扩散形式
7.3.3 扩散工艺步骤
7.3.4 扩散层质量参数
7.3.5 扩散条件的选择
7.4 离子注入
7.4.1 离子注入法的特点
7.4.2 离子注入设备
7.4.3 晶体损伤和退火
复习思考题
第8章 CMP、清洗和烘干
8.1 化学机械抛光
8.2 晶圆表面清洗
8.3 烘干技术
复习思考题
第9章 封装技术
9.1 封装的功能与基本工艺流程
9.1.1 封装概述
9.1.2 封装的功能
9.1.3 封装的基本工艺流程
9.2 封装的形式
9.2.1 直插式
9.2.2 表面贴装式
9.2.3 芯片尺寸封装
9.3 封装技术的发展趋势
复习思考题
第10章 测试技术
10.1 概述
10.2 晶圆测试
10.3 成品测试
复习思考题
第11章 污染控制
11.1 主要污染物及其引起的问题
11.1.1 主要污染物
11.1.2 污染物引起的问题
11.2 主要污染源及其控制方法
11.2.1 空气
11.2.2 厂务设备
11.2.3 人员产生的污染
11.2.4 工艺用水
11.2.5 工艺化学品
11.2.6 化学气体
11.2.7 其他方面
复习思考题
第12章 整体工艺良品率
12.1 维持高良品率的重要性
12.2 整体工艺良品率的三个测量点
12.2.1 累积晶圆生产良品率
12.2.2 晶圆电测良品率
12.2.3 封装良品率
复习思考题
附录A 洁净室及洁净区选用的空气悬浮粒子洁净度等级(ISO 14644—1:2015标准)
附录B 芯片制造常用专业词汇表
参考文献