\t以GaN为衬底材料的 Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN 、GaN、InN及相关合金 ）是极为重要的宽禁带半 导体材料，这类氮化物材 料和器件的发展十分迅速 。本书通过理论介绍与具 体实验范例相结合的方式 对氮化物半导体材料及器 件进行介绍，并系统地讲 解了目前广泛应用的氮化 物光电器件与氮化物电力 电子器件，使读者能够充 分了解二者之间内在的联 系与区别。全书共8章， 包括绪论、氮化物材料基 本特性及外延生长技术、 新型氮化物异质结的设计 及制备、氮化物材料的测 试表征技术、氮化物蓝光 LED材料与器件、氮化物 紫外和深紫外LED材料与 器件、氮化镓基二极管、 氮化镓基三极管。
\t 本书可作为微电子器 件领域本科生和研究生的 入门参考资料，也可供相 关领域的科研和研发人员 参考。
\t第1章 绪论
\t1.1 氮化物材料及器件背景
\t1.2 GaN的研究进展
\t参考文献
\t第2章 氮化物材料基本特性及外延生长技术
\t2.1 氮化物材料的结构
\t2.1.1 氮化物材料及其异质结
\t2.1.2 氮化物材料晶体结构
\t2.1.3 氮化物材料能带结构
\t2.2 氮化镓材料的制备
\t2.2.1 氮化镓材料的制备方法
\t2.2.2 MOCVD系统
\t2.2.3 MOCVD生长氮化镓薄膜的基本原理
\t2.2.4 MOCVD氮化物外延常用衬底
\t2.3 高质量GaN缓冲层外延生长技术
\t2.3.1 AlN成核层生长技术
\t2.3.2 阶变Ⅴ／Ⅲ比技术
\t2.3.3 杂质扩散抑制技术
\t2.4 高性能AlGaN／GaN异质结外延
\t2.4.1 超薄AlN界面插入层技术
\t2.4.2 原位生长AlN介质钝化层技术
\t参考文献
\t第3章 新型氮化物异质结的设计及制备
\t3.1 AlGaN/GaN背势垒异质结
\t......
