?碳化硅模块在多个领域具有广泛的应用前景，主要包括新能源汽车、可再生能源、数据中心和工业自动化等领域。例如，随着2018年特斯拉率先在Model3上搭载碳化硅，目前各大主流车企都在部署碳化硅上车，碳化硅市场规模不断放大。《碳化硅功率模块设计——先进性、鲁棒性和可靠性》为碳化硅功率模块设计提供实用指导，详细介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，本书所提供的方法和工具的有效性都已在实践中得到了证明。

本书详细介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导，兼具理论价值和实际应用价值。本书是半导体学术界和工业界研究人员和专家的宝贵参考资料。

前言
第1章 SiC MOSFET功率器件及其应用1
1.1 电力电子中的半导体器件1
1.1.1 基本性能1
1.1.2 热学性能2
1.1.3 SiC与Si对比3
1.1.4 SiCMOSFET功率器件3
1.2 应用中的先进性4
1.2.1 效率4
1.2.2 功率密度5
1.3 应用中的鲁棒性7
1.3.1 短路能力8
1.3.2 雪崩能力9
1.4 主流研究方向11
1.4.1 轻载下的高频性能11
1.4.2 器件参数的分散性11
1.4.3 寿命验证12
1.4.4 封装技术12
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