宋志棠编著的《相变存储器与应用基础(精)》围绕PCRAM的研究现状，自主A1SbTe、TiSbTe等新型相变材料，第一性原理计算及相变机理，双沟道外延二极管阵列器件及其关键技术，40nm相变存储器芯片设计以及存储芯片测试与应用等方面作详细介绍。本书可供材料、半导体器件、集成电路设计、测试等相关专业的研究生、科技人员和教学人员参考。

宋志棠编著的《相变存储器与应用基础(精)》介绍了相变存储器及其材料、器件结构、选通器件与芯片的研究现状，分析了几种新型相变材料、相变材料的微观结构与相变机理，详细叙述了双沟道外延二极管阵列器件的设计与关键工艺，相变存储器芯片设计、测试，并介绍了相变存储器的若干应用领域。本书是在完成国家科技02重大专项、国家重点基础研究发展计划、国家高技术研究发展计划等项目过程中，对相变存储器方面进行的较为详细的阶段性总结。

《相变存储器与应用基础(精)》可供材料、半导体器件、集成电路设计、测试等相关专业的研究生、科技人员和教学人员参考。

前言

第1章绪论

 1．1 半导体存储器简介

 1．2 相变存储器综述

 1. 3 相变存储器研究现状

1. 3．1 相变存储器材料研究

1．3．2 相变存储器结构研究

1．3. 3 相变存储器选通器件研究

1．3．4 相变存储器芯片研究

参考文献

第2章新型相变材料与工程化

 2．1 AlxSB2Te3相变材料

2．1．1 AlxSB2Te3材料的制备和表征

2．1．2 AlxSB2Te3器件的制备和表征

 2．2 AlxSB2Te3相变材料

2．2．1 AlxSB2Te3材料的制备和表征

2．2．2 AlxSB2Te3器件的制备和表征

 2. 3 Al2Te3-Sb2Te3体系相变材料

2．3．1 A12Te3，Sb2Te3和A12Sb2Te6材料的制备和表征

2．3．2 A12Te3，Sb2Te3和A12Sb2Te6器件的制备和表征

 2．4 快速TlSbTe相变材料

2．4．1 TiSbTe材料的制备与表征

2．4．2 TiSbTe器件的制备与表征

 2．5 SizSb2砥系列相变材料

 2．6 SiSbTe相变材料的工程化

2．6．1 SiSbTe材料的制备与表征

2．6．2 SiSbTe器件的制备和表征

参考文献

第3章相变材料结构与相变机理

 3．1 硅掺杂Sb2Te3相变材料第一性原理计算

3．1．1 SixSb2Te3相变材料的第一性原理计算

3．1．2 SixSb2Te3相变材料的分子动力学模拟

 3．2 低浓度铝掺杂SB2Te3相变材料的从头算研究

3．2．1 铝掺杂锑碲相变材料的特点

3．2．2 铝掺杂锑碲相变材料的第一性原理计算研究

3．2．3 Al-SBTe3相变材料的分子动力学模拟与结果讨论

 3．3 微观结构与相变行为研究

3．3．1 研究方法

3．3．2 相变存储材料Ge2Sb2Te5

3．3．3 相变存储材料Si2Sb2Te5

参考文献

第4章二极管阵列器件及其高密度相变存储器

 4．1 双沟道外延二极管阵列器件设计

4．1．1 相变存储器工作原理

4．1．2 二极管阵列器件设计

4．1．3 二极管阵列器件性能分析

 4．2 二极管阵列器件及相变存储器芯片

4．2．1 双沟道外延二极管阵列器件

4．2．2 二极管选通的相变存储器阵列单元

4．2. 3 二极管选通的相变存储器芯片

参考文献

第5章相变存储器芯片设计

 5．1 相变存储器芯片的系统框架

 5．2 相变存储单元及阵列设计

 5．3 控制逻辑设计

 5．4 译码电路

 5．5 输入输出电路

 5．6 写模块电路

 5．7 电流脉冲宽度可调电路

 5．8 带隙基准电路

 5．9 读出电路

 5．10 预读校验写入算法

 5．11 PCRAM芯片测试结果

 参考文献

第6章相变存储器测试与应用

 6．1 相变存储器的测试概述

 6．2 相变材料测试

 6. 3 相变存储器件测试

6．3．1 测试系统的软硬件条件

6．3．2 相变存储器初始化操作

6．3．3 非累积性擦操作测试方法

 6．4 分立相变器件的标准测试流程

6．4．1 分立相变器件的标准测试流程

6．4．2 基于标准化自动测试流程的数据分析算法

 6．5 相变存储阵列及存储芯片测试

6．5．1 芯片级测试系统硬件简介

6．5．2 小容量相变存储阵列的电流驱动方法

6．5. 3 基于1Kb的相变存储阵列测试系统

 6．6 兆位级相变存储器芯片测试方法研究

 6．7 相变存储器的应用

参考文献

索引