B.Jayant Baliga编著的《功率半导体器件基础(英文版)》深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。本书可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

《功率半导体器件基础(英文版)》作者B.Jayant Baliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

《功率半导体器件基础(英文版)》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

Preface

Chapter 1 Introduction

 1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms

 1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics

 1.3 Unipolar Power Devices

 1.4 Bipolar Power Devices

 1.5 MOS-Bipolar Power Devices

 1.6 Ideal Drift Region for Unipolar Power Devices

 1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance

 1.8 Summary

 Problems

 References

Chapter 2 Material Properties and Transport Physics

 2.1 Fundamental Properties

 2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration

 2.1.2 Bandgap Narrowing

 2.1.3 Built-in Potential

 2.1.4 Zero-Bias Depletion Width

 2.1.5 Impact Ionization Coefficients

 2.1.6 Carrier Mobility

 2.2 Resistivity

 2.2.1 Intrinsic Resistivity

 2.2.2 Extrinsic Resistivity

 2.2.3 Neutron Transmutation Doping

 2.3 Recombination Lifetime

Chapter 3 Breakdown Voltage

Chapter 4 Schottky Rectifiers

Chapter 5 P-i-N Rectifiers

Chapter 6 Power Mosfets

Chapter 7 Bipolar Junction Transistors

Chapter 8 Thyristors

Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors

Chapter 10 Synopsis

Index