《MOS集成电路工艺与制造技术》编著者潘桂忠。

本书技术含量高，非常实用，可作为从事MOS集成电路制造、设计等方面工程技术人员重要的参考资料，也可以作为微电子专业高年级本科生的、重要参考书，亦可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。

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《MOS集成电路工艺与制造技术》编著者潘桂忠。

《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注人、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀／N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l—10章，一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程依一定次序的各工序组成，而工序由各工步所构成，工步中的各种工艺由其规范来确定，工艺规范由其规范号和工艺序号(i)得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面l～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。ll～13章介绍了CMOS和LV／Hv兼容CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程卡，并与工艺制程的剖面结构相对应。

第1章 硅衬底与清洗

1．1 硅晶圆

1．2 P型硅衬底

1．3 N型硅衬底

1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅衬底

1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅衬底

1．6 硅片激光编号

1．7 硅片清洗分类及其步骤

1．8 硅片各种清洗液及其清洗

第2章 热氧化

第3章 热扩散

第4章 离子注入及其退伙

第5章 硅外延

第6章 化学气相淀积

第7章 光刻

第8章 腐蚀和刻蚀

第9章 金属化

第10章 表面钝化

第11章 CMOS工艺集成

第13章 Bicmos工艺集成