本书针对高职教学及学生的特点，根据微电子、电子制造、光电子以及光伏等专业人才培养方案的需要，系统地介绍了半导体技术相关的基础知识。本书主要包括半导体物理基础、硅半导体材料基础、化合物半导体材料基础、P-N结、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、其他常用半导体器件、半导体工艺化学、半导体集成电路设计原理、半导体集成电路设计方法与制造工艺等内容。
《半导体技术基础》“以应用为目的，以实用为主，理论以必需、够用为度”作为编写原则，突出理论的实用性，语言通俗易懂，内容全面，重点突出，层次清楚，结构新颖，实用性强。
本书可作为微电子、电子制造、光电子以及光伏等相关专业的高职高专学生的教材或学习参考用书。

第1章 半导体技术概述
1.1 半导体技术
1.1.1 半导体集成电路发展史
1.1.2 半导体技术的发展趋势
1.2 半导体与电子制造
1.2.1 电子制造基本概念
1.2.2 电子制造业的技术核心
习题
第2章 半导体物理基础
2.1 半导体能带
2.1.1 电子的共有化
2.1.2 能带
2.1.3 杂质能级
2.2 半导体的载流子运动
2.2.1 载流子浓度与费米能级
2.2.2 载流子的运动
习题
第3章 硅半导体材料基础
3.1 半导体材料概述
3.1.1 半导体材料的发展
3.1.2 半导体材料的分类
3.2 硅材料的主要性质
3.2.1 硅材料的化学性质
3.2.2 硅材料的晶体结构
3.2.3 硅材料的电学性质
3.2.4 硅材料的热学性质
3.2.5 硅材料的机械性质
3.3 硅单晶的制备技术
3.3.1 高纯硅的制备
3.3.2 硅的提纯技术
3.3.3 硅的晶体生长
3.3.4 晶体中杂质与缺陷
3.4 集成电路硅衬底加工技术
3.4.1 硅单晶抛光片的制备
3.4.2 硅单晶抛光片的质量检测
3.5 硅的外延生长技术
3.5.1 外延生长概述
3.5.2 硅气相外延生长技术
习题
第4章 化合物半导体材料基础
4.1 化合物半导体材料概述
4.2 化合物半导体单晶的制备
4.2.1 ⅢⅤ族化合物半导体单晶的制备
4.2.2 ⅡⅥ族化合物半导体单晶的制备
4.3 化合物半导体外延生长技术
4.3.1 气相外延生长
4.3.2 液相外延生长
4.3.3 其他外延生长技术
4.4 化合物半导体的应用
4.4.1 发光二极管的显示和照明方面的应用
4.4.2 集成电路方面的应用
4.4.3 太阳能电池方面的应用
习题
第5章 P-N结
5.1 PN结及能带图
5.1.1 PN结的制造及杂质分布
5.1.2 平衡PN结
5.2 P-N结的直流特性
5.2.1 P-N结的正向特性
5.2.2 P-N结的反向特性
5.2.3 P-N结的伏安特性
5.3 P-N结电容
5.3.1 势垒电容
5.3.2 扩散电容
5.4 P-N结击穿
5.4.1 雪崩击穿
5.4.2 隧道击穿
5.5 P-N结的开关特性与反向恢复时间
5.5.1 P-N结的开关特性
5.5.2 P-N结的反向恢复时间
习题
第6章 双极型晶体管
6.1 晶体管概述
6.1.1 晶体管基本结构
6.1.2 晶体管的制造工艺及杂质分布
6.2 晶体管电流放大原理
6.2.1 晶体管载流子浓度分布及传输
6.2.2 晶体管直流电流放大系数
6.2.3 晶体管的特性曲线
6.3 晶体管的反向电流与击穿电压
6.3.1 晶体管的反向电流
6.3.2 晶体管的击穿电压
6.4 晶体管的频率特性与功率特性
6.4.1 晶体管的频率特性
6.4.2 晶体管的功率特性
6.5 晶体管的开关特性
习题
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 MOS场效应晶体管概述
7.1.1 MOS场效应晶体管结构
7.1.2 MOS场效应晶体管工作原理
7.1.3 MOS场效应晶体管的分类
7.2 MOS场效应晶体管特性
7.2.1 MOS场效应晶体管输出特性
7.2.2 MOS场效应晶体管转移特性
7.2.3 MOS场效应晶体管阈值电压
7.2.4 MOS场效应晶体管电容电压特性
7.2.5 MOS场效应晶体管频率特性
7.2.6 MOS场效应晶体管开关特性
习题
第8章 其他常用半导体器件
8.1 结型场效应晶体管
8.1.1 结型场效应晶体管基本结构及工作原理
8.1.2 结型场效应晶体管特性
8.2 MOS功率场效应晶体管
8.2.1 MOS功率场效应晶体管基本结构
8.2.2 MOS功率场效应晶体管特性
8.3 光电二极管
8.3.1 PN结光伏特性
8.3.2 光电二极管结构及工作原理
8.4 发光二极管
8.4.1 发光二极管结构及工作原理
8.4.2 发光二极管的制备
习题
第9章 半导体工艺化学基础
9.1 化学清洗
9.1.1 硅片表面污染杂质类型
9.1.2 清洗步骤
9.1.3 有机杂质清洗
9.1.4 无机杂质的清洗
9.1.5 清洗工艺安全操作
9.2 硅表面抛光化学原理
9.2.1 铬离子化学机械抛光
9.2.2 铜离子化学机械抛光
9.2.3 二氧化硅胶体化学机械抛光
9.3 纯水制备
9.3.1 纯水在半导体生产中的应用
9.3.2 离子交换制备纯水
9.3.3 水纯度的测量
9.4 制备钝化膜
9.4.1 二氧化硅钝化膜的制备
9.4.2 其他类型钝化膜
9.5 扩散工艺化学原理
9.5.1 扩散工艺概述
9.5.2 硼扩散的化学原理
9.5.3 磷扩散的化学原理
9.5.4 锑扩散的化学原理
9.5.5 砷扩散的化学原理
9.6 光刻工艺的化学原理
9.6.1 光刻工艺概述
9.6.2 光刻工艺中的化学应用
9.7 化学腐蚀
9.7.1 化学腐蚀的原理
9.7.2 影响化学腐蚀的因素
习题
第10章 半导体集成电路设计原理
10.1 CMOS集