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图书 半导体器件物理
内容
编辑推荐
本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性,在此基础上,对本领域的近期新研究进展做了较为详尽的介绍,反映了当前优选的研究水平,对于培养适应新时期微电子器件发展的本科生和研究生具有重要作用,对于促进我国集成电路产业的发展,解决芯片“卡脖子”问题具有重要意义。
内容推荐
本书主要描述常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性。内容包括:半导体物理基础、PN结、PN结二极管应用、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及新型场效应晶体管,如FinFET、SOI FET、纳米线围栅(GAA)FET等,共计七章。与同类教材比较,本教材增加了pn结二极管应用以及新型场效应晶体管的介绍,反映了本领域的近期新研究进展,丰富了BJT和MOSFET的相关内容,对重要知识点有更详尽的解释说明,便于学生自学,也可供本领域科研人员和工程技术人员参考。
目录
第1章半导体物理基础(1)
1.1半导体材料(1)
1.1.1半导体材料的原子构成(1)
1.1.2半导体材料的晶体结构(2)
1.2半导体中的电子(3)
1.2.1量子力学简介(4)
1.2.2半导体中电子的特性与能带(8)
1.2.3载流子(11)
1.3载流子的浓度(14)
1.3.1电子的统计分布规律(14)
1.3.2载流子浓度与费米能级的关系(16)
1.3.3本征半导体与杂质半导体(16)
1.3.4非平衡载流子(22)
1.3.5准费米能级(24)
1.4载流子的输运(25)
1.4.1载流子的散射(25)
1.4.2载流子的漂移运动与迁移率(25)
1.4.3漂移电流与电导率(28)
1.4.4扩散运动与扩散系数(29)
1.4.5电流密度方程与爱因斯坦关系式(30)
1.5连续性方程与扩散方程(31)
1.5.1连续性方程(31)
1.5.2扩散方程(32)
1.6泊松方程(33)
思考题1(34)
习题1(34)
第2章PN结(36)
2.1PN结的结构及其杂质分布(36)
2.1.1突变结(36)
2.1.2缓变结(37)
2.2平衡PN结(38)
2.2.1空间电荷区的形成(38)
2.2.2能带与接触电势差(39)
2.2.3载流子浓度分布(41)
2.2.4空间电荷区中的电场(42)
2.3理想PN结的伏安特性(45)
2.3.1正向特性(45)
2.3.2反向特性(48)
2.3.3理想PN结的伏安特性(51)
2.4实际PN结的特性(54)
2.4.1空间电荷区的复合电流(54)
2.4.2空间电荷区的产生电流(57)
2.4.3表面漏电流与表面复合、产生电流(58)
2.4.4大注入效应(59)
2.4.5PN结的温度特性(62)
2.5PN结的击穿(63)
2.5.1雪崩击穿(63)
2.5.2隧道击穿(66)
2.5.3热击穿(67)
2.5.4影响击穿电压的因素(68)
2.6PN结的小信号特性(70)
2.6.1交流小信号电导(70)
2.6.2势垒电容(71)
2.6.3扩散电容(73)
思考题2(74)
习题2(75)
第3章PN结二极管(76)
3.1变容二极管(76)
3.1.1PN结电容电压特性(76)
3.1.2变容二极管结构和工艺(79)
3.1.3变容二极管主要参数(80)
3.2隧道二极管(81)
3.2.1隧道二极管的工作原理(81)
3.2.2隧道电流和过量电流(83)
3.2.3等效电路及特性(84)
3.3雪崩二极管(85)
3.3.1崩越二极管(85)
3.3.2俘越二极管(88)
3.4PN结太阳能电池(89)
3.4.1光生伏特效应(89)
3.4.2PN结太阳能电池基本特性(90)
3.5发光二极管(92)
3.6激光二极管(94)
3.6.1粒子数的反转分布(95)
3.6.2光反馈和激光振荡(96)
思考题3(97)
习题3(98)
第4章双极晶体管(99)
4.1双极晶体管的结构(99)
4.1.1晶体管的基本结构(99)
4.1.2晶体管的结构特点(101)
4.2双极晶体管的放大作用(103)
4.2.1直流电流放大系数和晶体管内载流子的传输(103)
4.2.2共基极与共射极直流电流放大系数(105)
4.3双极晶体管电流增益(106)
4.3.1均匀基区晶体管直流电流增益(107)
4.3.2缓变基区晶体管直流电流增益(113)
4.3.3影响电流增益的因素(117)
4.4反向直流参数与基极电阻(121)
4.4.1BJT反向截止电流(121)
4.4.2BJT反向击穿电压(122)
4.4.3BJT基极电阻(125)
4.5双极晶体管直流伏安特性(128)
4.5.1均匀基区晶体管直流伏安特性(128)
4.5.2双极晶体管的特性曲线(129)
4.6双极晶体管频率特性(132)
4.6.1交流小信号电流传输(132)
4.6.2交流小信号传输延迟时间(135)
4.6.3交流小信号电流增益(137)
4.6.4双极晶体管频率特性参数(139)
4.7双极晶体管的开关特性(142)
4.7.1双极晶体管的开关原理(142)
4.7.2晶体管的开关过程和开关时间(144)
……
标签
缩略图
书名 半导体器件物理
副书名
原作名
作者 徐静平,刘璐,高俊雄
译者
编者
绘者
出版社 华中科技大学出版社
商品编码(ISBN) 9787568095716
开本 16开
页数 328
版次 1
装订
字数 522000
出版时间 2023-09-01
首版时间
印刷时间 2023-09-01
正文语种
读者对象
适用范围
发行范围
发行模式 实体书
首发网站
连载网址
图书大类 教育考试-大中专教材-大学教材
图书小类
重量
CIP核字
中图分类号 TN303,O47
丛书名
印张
印次 1
出版地
整理
媒质
用纸
是否注音
影印版本
出版商国别
是否套装
著作权合同登记号
版权提供者
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更新时间:2025/5/15 19:32:33