为了适应当前集成电路的迅猛发展和新型半导体器件的不断涌现，黄均鼐、汤庭鳌、胡光喜编写出版了《半导体器件原理》一书。

本书不仅介绍和分析了集成电路领域内一些基本器件，如p-n结、双极型晶体管、单栅金属氧化物场效应管、功率晶体管等的基本结构和工作原理，还根据当前科学技术的发展，介绍和分析了一些新型器件的结构和工作原理，如铁电存储器、相变存储器、阻式存储器、多栅场效应管以及肖特基势垒源／漏结构场效应管等。

本书的作者们在集成电路领域具有多年的教学和科研经验，希望通过该书的学习或阅读，为读者了解集成电路领域传统的和新型的半导体器件结构以及它们的基本原理有所帮助。本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。

黄均鼐、汤庭鳌、胡光喜编著的《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。

《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。

第一章 半导体器件的物理基础

第二章 p-n结

第三章 晶体管的直流特性

第四章 晶体管的频率特性和功率特性

第五章 晶体管的开关特性

第六章 半导体表面特性及MOS电容

第七章 MOS场效应晶体管的基本特性

第八章 半导体功率器件

第十章 多栅MOS场效应管

第十一章 不挥发存储器基础

第十二章 金属-半导体接触和肖特基势垒器件

附录

主要符号表