本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。

与原书相比，本书更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。

本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。

与原书相比，本书更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。

另外，本书还尽量保持了原书的主要优点：

(1)注重基本概念和方法。本书从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。

(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是本书突出的特点。

Preface xvii

CHAPTER 1

The Crystal Structure of Solids

1.0 Preview 1

1.1 Semiconductor Materials 2

1.2 Types of Solids 3

1.3 Space Lattices 4

1.3.1 Primitive and Unit Cell 4

1.3.2 Basic Crystal Structures 6

1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices

1.3.4 The Diamond Structure 13

1.4 Atomic Bonding 15

1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17

1.5.1 Imperfections in Solids 17

1.5.2 Impurities in Solids 18

1.6 Growth of Semiconductor Materials 19

1.6.1 Growth from a Melt 20

1.6.2 Epitaxial Growth 22

1.7 Device Fabrication Techniques:

Oxidation 23

1.8 Summary 25

Problems 27

CHAPTER 2

Theory of Solids 31

2.0 Preview 31

2.1 Principles of Quantum Mechanics 32

2.1.1 Energy Quanta 32

2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34

2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36

2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36

2.2.2 The One-Electron Atom 37

2.2.3 Periodic Table 40

2.3 Energy-Band Theory 41

2.3.1 Formation of Energy Bands 41

2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45

2.3.3 Charge Carriers--Electrons and Holes 47

2.3.4 Effective Mass 49

2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50

2.3.6 The k-Space Diagram 52

2,4 Density of States Function 55

2.5 Statistical Mechanics 57

2.5.1 Statistical Laws 57

2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function

  and the Fermi Energy 58

2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62

2.6 Summary 64

Problems 65

CHAPTER 3

The Semiconductor in Equilibrium 70

3.0 Preview 70

3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71

3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72

3.1.2 The no and Po Equations 74

3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79

3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82

3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83

3.2.1 Qualitative Description 83

3.2.2 Ionization Energy 86

3.2.3 Group III-V Semiconductors 88

3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89

3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89

……