施尔畏编著的《碳化硅晶体生长与缺陷》系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分Simcn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。本书从碳化硅晶体结构出发，把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量/能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线，从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。
《碳化硅晶体生长与缺陷》可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考，亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读。

前言
1 碳化硅晶体的多型结构与表征
1.1晶体的多型
1.2碳化硅晶体的结构层与基本结构单元
1.3碳化硅晶体多型的共生与连生
1.43C-sic多型的结构
1.52H-sic多型的结构
1.64H-sic多型的结构
1.76H-sic多型的结构
1.815R-sic多型的结构
1.9碳化硅晶体多型结构参数的变化
1.10碳化硅晶体多型结构鉴别概述
1.11x射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构
1.12高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构
1.13吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
1.14拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
符号说明和注解
2 碳化硅晶体的物理气相输运（PVT）法生长
2.1硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图
2.2固态碳化硅分解升华的热力学研究
2.3PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程
2.4PVT法碳化硅晶体生长系统概述
2.5PVT法碳化硅晶体生长模型研究
2.6PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量
2.7PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合
2.8生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变
2.9石墨坩埚生长腔内温度场的演变
符号说明和注解
3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制
3.1气相组分概述
3.2PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制
3.3气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位
3.4纯硅气相组分sim的稳定构型与能量
3.5纯碳气相组分cn的稳定构型与能量
3.6硅碳气相组分simcn的稳定构型与能量
3.7气相组分simcn构型的转变
3.8气相组分simcn的化学序
3.9气相组分simcn的相互作用
3.10气相组分simcn在生长界面上的结晶
符号说明和注解
4 碳化硅晶体的结晶缺陷
4.1碳化硅晶体结晶缺陷概述
4.2碳化硅晶片结晶质量的整体评价
4.3碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价
4.4多型共生缺陷
4.5镶嵌结构缺陷
4.6堆垛层错
4.7孔道与微管道
符号说明和注解
后记